SJ 769-1974 3DD56型和3DD57型NPN硅外延平面低频大功率三极管
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时间:2024-05-09 05:35:15
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基本信息
| 标准名称： | 3DD56型和3DD57型NPN硅外延平面低频大功率三极管 |
| 英文名称： | Detail specification for silion NPN epitaxial planar low-frequency high power transistors Type 3DD56 and 3DD57 |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 半导体三极管 |
| 发布部门： | 中华人民共和国第四机械工业部 |
| 发布日期： | 1974-10-01 |
| 实施日期： | 1974-10-01 |
| 首发日期： | |
| 作废日期： | 2010-01-20 |
| 出版社： | 中国电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1974-10-01 |
| 页数： | 4页 |
适用范围
本标准适用于耗散功率为10W的3DD56型和3DD57型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 半导体三极管
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